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1960年7月
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東京都目黒区においてレーザーテックの前身である㈲東京アイ・テイ・ブイ研究所を設立 |
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1962年8月
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資本金1,000千円で日本自動制御㈱を設立 |
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1963年8月
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神奈川県川崎市木月へ本社を移転 |
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1965年11月
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神奈川県川崎市北加瀬へ本社を移転 |
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1971年5月
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磁気テープ走行中のテンションを測定する「テンションアナライザー」を開発 |
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1975年2月
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フォトマスクのピンホールを発見する「フォトマスクピンホール検査装置」を開発 |
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1975年4月
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「顕微鏡自動焦点装置」を開発 |
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1976年10月
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LSIのマスクパタン欠陥を自動検査する「フォトマスク欠陥検査装置」を世界で初めて開発 |
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1980年4月
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神奈川県横浜市港北区綱島東へ本社を移転 |
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1985年6月
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「カラーレーザー顕微鏡」を開発 |
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1986年6月
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商号を「レーザーテック株式会社」に変更 |
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1986年7月
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子会社㈱レーザーテック研究所を東京都港区に設立 |
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1986年12月
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Lasertec U.S.A., Inc.（現連結子会社）を米国カリフォルニア州サンノゼ市に設立
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1987年6月
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子会社レーザーテック販売㈱を東京都港区に設立 |
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1989年7月
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㈱レーザーテック研究所及びレーザーテック販売㈱を吸収合併 |
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1990年12月
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日本証券業協会に店頭売買銘柄として株式を登録 |
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1993年7月
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LCD（液晶ディスプレイ）の突起欠陥等を検査し、修正する「カラーフィルター欠陥検査装置」及び「カラーフィルター欠陥修正装置」を開発 |
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1994年11月
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位相シフトマスクの位相シフト量を測定する「位相シフト量測定装置」を開発 |
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1996年12月
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フォトマスクに装着されているペリクル及びフォトマスクの裏面に付着した異物を検査する「ペリクル面異物検査装置」を開発 |
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1998年8月
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半導体ウェハ上の欠陥をマルチビームレーザーコンフォーカル光学系を利用して検査する「ウェハ欠陥検査装置」を開発 |
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2000年2月
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フォトマスクのマスクブランクスの欠陥を検査する「マスクブランクス欠陥検査装置」を開発 |
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2001年2月
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Lasertec Korea Corporation（現連結子会社）を韓国ソウル市に設立
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2004年12月
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ジャスダック証券取引所（現 東京証券取引所JASDAQ（スタンダード））に株式を上場（2012年5月上場廃止） |
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2008年3月
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神奈川県横浜市港北区新横浜へ本社を移転 |
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2009年5月
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太陽電池の変換効率分布を可視化する「太陽電池変換効率分布測定機」を開発 |
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2010年6月
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Lasertec Taiwan, Inc.（現連結子会社）を台湾新竹県竹北市に設立
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2012年3月
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東京証券取引所市場第二部に株式を上場 |
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2013年3月
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東京証券取引所市場第一部銘柄に指定を受ける |
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2017年4月
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世界で初めてEUV光(波長13.5nm)を用いた「EUVマスクブランクス欠陥検査/レビュー装置」を開発
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2017年6月
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Lasertec China Co., Ltd.（Lasertec Taiwan, Inc.の100%子会社）を中国上海市に設立
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2019年9月
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世界で初めてEUV光(波長13.5nm)を用いた「アクティニックEUVパターンマスク欠陥検査装置」を開発
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2019年11月
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Lasertec Singapore Service Pte. Ltd.（現非連結子会社）をシンガポールに設立
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